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元件参数资料
>
参数目录44001
> STB4NK60ZT4 MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
型号:
STB4NK60ZT4
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STB4NK60ZT4 PDF
其它有关文件
STB4NK60Z View All Specifications
产品目录绘图
ST Series D2PAK
标准包装
1
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2 欧姆 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
510pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-2486-1
查看STB4NK60ZT4代理商
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